《日刊工业新闻》10月21日消息指出,佳能规划到2029年,将后段制程光刻机的产量在现有基础上增加50%。
佳能正致力于研发适用于先进封装工艺的i线光刻设备。该公司已成功开发出一款分辨率达到0.8μm(800nm)的大尺寸基板光刻机,可处理510×515(mm)的基板,具备高对准精度与大视场角特性。
佳能半导体设备业务负责人三浦圣也表示,在RDL生产领域,无掩膜直写图案化方案目前尚未成为i线光刻机的直接竞争者。
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